Рабочий ток предохранителя 5х20 напряжение 250В. Имеет самую популярную конфигурацию 5х20 среди предохранителей, которая применяется в большинстве бытовых приборов. Внешний диаметр корпуса предохранителя – 5 мм, длина корпуса – 20 мм. Легкоплавкий защитный элемент в виде проволоки обеспечивает быстрое срабатывание предохранителя 5×20 при перегрузке сети или коротком замыкании и сгорает в аварийном режиме, размыкая цепь…
Рабочий ток предохранителя 5х20 напряжение 250В. Имеет самую популярную конфигурацию 5х20 среди предохранителей, которая применяется в большинстве бытовых приборов. Внешний диаметр корпуса предохранителя – 5 мм, длина корпуса – 20 мм. Легкоплавкий защитный элемент в виде проволоки обеспечивает быстрое срабатывание предохранителя 5×20 при перегрузке сети или коротком замыкании и сгорает в аварийном режиме, размыкая цепь…
Рабочий ток предохранителя 5х20 напряжение 250В. Имеет самую популярную конфигурацию 5х20 среди предохранителей, которая применяется в большинстве бытовых приборов. Внешний диаметр корпуса предохранителя – 5 мм, длина корпуса – 20 мм. Легкоплавкий защитный элемент в виде проволоки обеспечивает быстрое срабатывание предохранителя 5×20 при перегрузке сети или коротком замыкании и сгорает в аварийном режиме, размыкая цепь…
Полное название: PCR406J/PCR406U Максимальное напряжение: 400 В Среднеквадратичный ток на пике синусоиды 0,8 А Средний ток в открытом состоянии 0,5 А Пиковый ток: 1 А Артикул: TRC015
N-канальный полевой транзистор 100В 12А 56,6 Вт (Tc) Тип корпуса: TO-252 для поверхностного монтажа
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц Корпус: TO-18 Комплементарной парой…
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -40 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц Корпус: TO-18 Комплементарной парой…
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -40 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150 В Напряжение коллектор-база, не более: -160 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 240 Предельная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, не более: 180 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 80 до 250 Предельная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В Напряжение коллектор-база, не более: 300 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 В Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 Предельная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой для MPSA42…
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 90 до 600 Предельная частота коэффициента передачи тока: 180 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -300 В Напряжение коллектор-база, не более: -300 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 Предельная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой для MPSA92…
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В Напряжение коллектор-база, не более: -50 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 630 Предельная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 630 Предельная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…
BTA24-800BW LGEПроизводитель: LGEКорпус: TO-220ABUmax,V: 800 VIоткр.,mA: 50 mAImax,A: 25
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 700 Предельная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…
Транзистор FHP1404 MOSFET N канальный 180A 40V TO220 — предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре. Технические характеристики транзистора Структура NСхема соединения ОдинарныйНапряжение пробоя сток-исток 40 ВНапряжение затвор-исток ±25 ВМаксимальный постоянный ток стока при 25 °C 180 АПороговое напряжение затвор-исток 4 ВМощность рассеивания при 25 °C…
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ — Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W |Vds|ⓘ — Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V |Vgs|ⓘ — Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ — Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ — Максимально допустимый постоянный ток стока: 34.3 A Tjⓘ — Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ — Общий заряд…
Транзистор J41CG Его полные аналоги MJD41CT4G, MJD41C, TIP41C Тип корпуса: TO252-2L Структура: PNP Макс. напряжение коллектор-база: 100 V Макс. напряжение коллектор-эмиттер: 100 V Макс. напряжение эмиттер-база: 5 V Макс. постоянный ток коллектора: 6 А Мощность рассеивания: 1.25 Вт. Предельная частота (Ft): 3 МГц Коэффициент передачи тока (диапазон): 15 — 75 Способ монтажа SMD монтаж
Конец содержания
Конец содержания
У вас еще нет аккаунта? Регистрация
В вашей корзине нет товаров. Продолжайте, пополняйте ее тем, что вам нравится!
Начните Делать Покупки Прямо сейчас
