Транзистор L7812CV (12В 1.5А)
10 грнХарактеристики: Модель L7812CV Выходное напряжение 12 В Макс. выходной ток 1.5А Макс. входное напряжение 35 В Рабочая температура 0…125 °С Тип корпуса TO-220
-
-
Транзистор s8050D
4 грнСтруктура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…
-
Транзистор s8550d
4 грнСтруктура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…
-
Чип MC34063 SOP-8 1.2A
12 грнМодель: MC34063A Напряжение питания: 3-40 В Максимальный ток: 1.5 А Рабочая частота: 100 кГц Точность: 2% Тип корпуса: SOP-8
-
Чип MC34063 SOP-8 1.5A
5 грнМодель: MC34063 Напряжение питания: 3-40 В Максимальный ток: 1.5 А Рабочая частота: 100 кГц Точность: 2% Тип корпуса: SOP-8
-
Чип MD8002A SOP-8
38 грнУсилитель низкой частоты 8002A/MD8002A в корпусе SOP8 для использования в малогабаритных устройствах с низким напряжением питания. Выходная мощность: 3 Вт / 3 Ом Напряжение питания: 2.2-5 В Искажения: 10%
-
Чип MD8002d
38 грн -
Чип PT4115 SOT-89
4,50 грнМодель: PT4115 Напряжение питания: 6-30 В Регулируемый выход: до 1.2 А Выходная мощность: 30 Вт Тип корпуса: SOT-89-5.
-
Чип ULN2003A SOP-16
5 грнЧип позволяет с помощью слабого тока микроконтроллера, такого как Arduino, управлять мощными нагрузками с током до 500 мА и напряжением до 50 В на канал. Такими нагрузками могут быть соленоиды, двигатели, мощные светодиоды и т.д. Для каждого каскада в чипе установлен поворотный диод, что позволяет подключать индуктивные нагрузки: реле, электромагниты, приводы.При необходимости каналы можно объединить,…
-
Электролитические конденсаторы — 16v 47µF
4 грнЭлектролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом.
-
Электролитические конденсаторы — 25v 10µF
4 грнЭлектролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом.
-
Электролитические конденсаторы — 50v 0.02µF
4 грнЭлектролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом.
-
Электролитические конденсаторы — 50v 1µF
4 грнЭлектролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом.
-
Электролитические конденсаторы — 50v 2.2µF
4 грнЭлектролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом.
-
Электролитические конденсаторы — 50v 47µF
4 грнЭлектролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом.
-
Электролитические конденсаторы – 50v 0,47 µF
4 грнЭлектролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом.
-
2N7000, Транзистор, N-канал, 60В, 0.4А, 5000мОм TO92
3 грнСтруктура – n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси, В — 60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.А — 0.2Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс., — ±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл., мом — 5000Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт — 0.4Корпус — to92Пороговое напряжение на затворе — 3
-
A0D404 TO252
30 грн -
SMBJ15A, Защитный диод, 600Вт, 15В, SMB
4 грнКорпус: SMB (DO-214AA)Пиковая мощность: 600 WНапряжение пробоя, Vbr: 17,6 VПостоянное обратное напряжение, Vrm: 15 VТок утечки, Irm: 1 µAКонструкция диода: ОднонаправленныйМонтаж: SMD
-
Биполярный транзистор PXT2907A
10 грнНаименование производителя: PXT2907AМаркировка: 2F_p2FТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная мощность, рассеиваемая (Pc): 1.3 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Максимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 AПредельная температура перехода PN (Tj): 150 °CПредельная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 МГцСтатический коэффициент передачи тока (hfe): 100Корпус…
Конец содержания
Конец содержания
