• Транзистор FHP20100

    Транзистор FHP20100

    0 из 5
    24 грн

    Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ — Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W |Vds|ⓘ — Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V |Vgs|ⓘ — Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ — Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ — Максимально допустимый постоянный ток стока: 34.3 A Tjⓘ — Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ — Общий заряд…

  • Транзистор J41CG, TO252-2L PNP, MJD41C

    Транзистор J41CG, TO252-2L PNP, MJD41C

    0 из 5
    грн

    Транзистор J41CG Его полные аналоги MJD41CT4G, MJD41C, TIP41C Тип корпуса: TO252-2L Структура: PNP Макс. напряжение коллектор-база: 100 V Макс. напряжение коллектор-эмиттер: 100 V Макс. напряжение эмиттер-база: 5 V Макс. постоянный ток коллектора: 6 А Мощность рассеивания: 1.25 Вт. Предельная частота (Ft): 3 МГц Коэффициент передачи тока (диапазон): 15 — 75 Способ монтажа SMD монтаж

  • Транзистор L7812CV (12В 1.5А)

    Транзистор L7812CV (12В 1.5А)

    0 из 5
    10 грн

    Характеристики: Модель L7812CV Выходное напряжение 12 В Макс. выходной ток 1.5А Макс. входное напряжение 35 В Рабочая температура 0…125 °С Тип корпуса TO-220

  • Транзистор s8050D

    Транзистор s8050D

    0 из 5
    грн

    Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…

  • Транзистор s8550d

    Транзистор s8550d

    0 из 5
    грн

    Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…

  • Чип MC34063 SOP-8 1.2A

    Чип MC34063 SOP-8 1.2A

    0 из 5
    13 грн

    Модель: MC34063A Напряжение питания: 3-40 В Максимальный ток: 1.5 А Рабочая частота: 100 кГц Точность: 2% Тип корпуса: SOP-8

  • Чип MC34063 SOP-8 1.5A

    Чип MC34063 SOP-8 1.5A

    0 из 5
    грн

    Модель: MC34063 Напряжение питания: 3-40 В Максимальный ток: 1.5 А Рабочая частота: 100 кГц Точность: 2% Тип корпуса: SOP-8

  • Чип MD8002A SOP-8

    Чип MD8002A SOP-8

    0 из 5
    39 грн

    Усилитель низкой частоты 8002A/MD8002A в корпусе SOP8 для использования в малогабаритных устройствах с низким напряжением питания. Выходная мощность: 3 Вт / 3 Ом Напряжение питания: 2.2-5 В Искажения: 10%

  • Чип MD8002d

    Чип MD8002d

    0 из 5
    38 грн
  • Чип PT4115 SOT-89

    Чип PT4115 SOT-89

    0 из 5
    грн

    Модель: PT4115 Напряжение питания: 6-30 В Регулируемый выход: до 1.2 А Выходная мощность: 30 Вт Тип корпуса: SOT-89-5.

  • Чип ULN2003A SOP-16

    Чип ULN2003A SOP-16

    0 из 5
    грн

    Чип позволяет с помощью слабого тока микроконтроллера, такого как Arduino, управлять мощными нагрузками с током до 500 мА и напряжением до 50 В на канал. Такими нагрузками могут быть соленоиды, двигатели, мощные светодиоды и т.д. Для каждого каскада в чипе установлен поворотный диод, что позволяет подключать индуктивные нагрузки: реле, электромагниты, приводы.При необходимости каналы можно объединить,…

  • Электролитические конденсаторы - 16v 22µF

    Электролитические конденсаторы — 16v 22µF

    0 из 5
    грн

    Электролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом.

  • Электролитические конденсаторы - 16v 47µF

    Электролитические конденсаторы — 16v 47µF

    0 из 5
    грн

    Электролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом.

  • Электролитические конденсаторы - 25v 10µF

    Электролитические конденсаторы — 25v 10µF

    0 из 5
    грн

    Электролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом.

  • Электролитические конденсаторы - 50v 0.02µF

    Электролитические конденсаторы — 50v 0.02µF

    0 из 5
    грн

    Электролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом.

  • Электролитические конденсаторы - 50v 1µF

    Электролитические конденсаторы — 50v 1µF

    0 из 5
    грн

    Электролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом.

  • Электролитические конденсаторы - 50v 2.2µF

    Электролитические конденсаторы — 50v 2.2µF

    0 из 5
    грн

    Электролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом.

  • Электролитические конденсаторы - 50v 47µF

    Электролитические конденсаторы — 50v 47µF

    0 из 5
    грн

    Электролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом.

  • Электролитические конденсаторы – 50v 0,47 µF

    Электролитические конденсаторы – 50v 0,47 µF

    0 из 5
    грн

    Электролитические конденсаторы (оксидные) — разновидность конденсаторов, в которых диэлектриком между обкладками является пленка оксида металла, где анод выполнен из металла, а катод является твердым, жидким или гелевым электролитом.

  • 2N7000, Транзистор, N-канал, 60В, 0.4А, 5000мОм TO92

    2N7000, Транзистор, N-канал, 60В, 0.4А, 5000мОм TO92

    0 из 5
    грн

    Структура – n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси, В — 60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.А — 0.2Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс., — ±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл., мом — 5000Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт — 0.4Корпус — to92Пороговое напряжение на затворе — 3

Конец содержания

Конец содержания