Магазин

Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 700 Предельная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…

Транзистор FHP1404 MOSFET N канальный 180A 40V TO220 — предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре. Технические характеристики транзистора Структура NСхема соединения ОдинарныйНапряжение пробоя сток-исток 40 ВНапряжение затвор-исток ±25 ВМаксимальный постоянный ток стока при 25 °C 180 АПороговое напряжение затвор-исток 4 ВМощность рассеивания при 25 °C…

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ — Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W |Vds|ⓘ — Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V |Vgs|ⓘ — Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ — Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ — Максимально допустимый постоянный ток стока: 34.3 A Tjⓘ — Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ — Общий заряд…

Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…

Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…