Транзисторы

Наименование прибора: AOD409Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 VПороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 26 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CВремя нарастания (tr): 14.5 nsВыходная емкость (Cd): 241 pfСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 OhmТип корпуса:…

Симистор BT136S-600E 800E является силовым полупроводниковым прибором, который может использоваться для управления большими токами в электрических схемах. Он имеет SMD корпус типа SOT-252, также известный как TO-252. BT136S-600E 800E имеет следующие характеристики: Максимальный ток (IТ(RMS)): 4 А (для BT136S-600E) и 4 А (для BT136S-800E). Максимальное напряжение (VDRM/VRRM): 600 В (для BT136S-600E) и 800 В (для…

Артикул FDN304P Монтаж SMD Производитель ON SEMICONDUCTOR Потери мощности 0,5Вт Тип упаковки бобина//лента Корпус SOT23 Полярность полевой Технология PowerTrench® Тип транзистора P-MOSFET Напряжение сток-исток -20В Ток стока -2,4А Напряжение затвор-исток ±8В Сопротивление в открытом состоянии 0,1Ом Тип канала обогащенный Заряд затвора 20нC Обозначение производителя FDN304P

Микросхема LM339 является четырехканальным компаратором с открытым коллектором и имеет корпус SOP-14 (Small Outline Package-14). Основные характеристики микросхемы LM339: Тип: Четырехканальный компаратор.Количество каналов: 4.Тип корпуса: SOP-14 (Small Outline Package-14).Напряжение питания: От 2V до 36V.Открытый коллектор на выходе.Микросхема LM339 обычно используется для сравнения напряжений или сигналов и выдает на выходе «0» или «1» в зависимости от…

Технические параметры: Напряжение питания: 7.2 В Пиковый выходной ток: 2.5 А Максимальный длительный выходной ток: 1.8 А

N-канальный полевой транзистор 100В 12А 56,6 Вт (Tc) Тип корпуса: TO-252 для поверхностного монтажа

Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -40 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…

Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150 В Напряжение коллектор-база, не более: -160 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 240 Предельная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…

Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, не более: 180 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 80 до 250 Предельная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…

Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -300 В Напряжение коллектор-база, не более: -300 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 Предельная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой для MPSA92…

Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 630 Предельная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…

BTA24-800BW LGEПроизводитель: LGEКорпус: TO-220ABUmax,V: 800 VIоткр.,mA: 50 mAImax,A: 25