Транзистор FHP1404 MOSFET N канальный 180A 40V TO220 — предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре. Технические характеристики транзистора Структура NСхема соединения ОдинарныйНапряжение пробоя сток-исток 40 ВНапряжение затвор-исток ±25 ВМаксимальный постоянный ток стока при 25 °C 180 АПороговое напряжение затвор-исток 4 ВМощность рассеивания при 25 °C…
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ — Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W |Vds|ⓘ — Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V |Vgs|ⓘ — Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ — Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ — Максимально допустимый постоянный ток стока: 34.3 A Tjⓘ — Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ — Общий заряд…
Транзистор J41CG Его полные аналоги MJD41CT4G, MJD41C, TIP41C Тип корпуса: TO252-2L Структура: PNP Макс. напряжение коллектор-база: 100 V Макс. напряжение коллектор-эмиттер: 100 V Макс. напряжение эмиттер-база: 5 V Макс. постоянный ток коллектора: 6 А Мощность рассеивания: 1.25 Вт. Предельная частота (Ft): 3 МГц Коэффициент передачи тока (диапазон): 15 — 75 Способ монтажа SMD монтаж
Характеристики: Модель L7812CV Выходное напряжение 12 В Макс. выходной ток 1.5А Макс. входное напряжение 35 В Рабочая температура 0…125 °С Тип корпуса TO-220
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не более: -40 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…
Модель: MC34063A Напряжение питания: 3-40 В Максимальный ток: 1.5 А Рабочая частота: 100 кГц Точность: 2% Тип корпуса: SOP-8
Модель: MC34063 Напряжение питания: 3-40 В Максимальный ток: 1.5 А Рабочая частота: 100 кГц Точность: 2% Тип корпуса: SOP-8
Усилитель низкой частоты 8002A/MD8002A в корпусе SOP8 для использования в малогабаритных устройствах с низким напряжением питания. Выходная мощность: 3 Вт / 3 Ом Напряжение питания: 2.2-5 В Искажения: 10%
Модель: PT4115 Напряжение питания: 6-30 В Регулируемый выход: до 1.2 А Выходная мощность: 30 Вт Тип корпуса: SOT-89-5.
Чип позволяет с помощью слабого тока микроконтроллера, такого как Arduino, управлять мощными нагрузками с током до 500 мА и напряжением до 50 В на канал. Такими нагрузками могут быть соленоиды, двигатели, мощные светодиоды и т.д. Для каждого каскада в чипе установлен поворотный диод, что позволяет подключать индуктивные нагрузки: реле, электромагниты, приводы.При необходимости каналы можно объединить,…
Структура – n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси, В — 60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.А — 0.2Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс., — ±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл., мом — 5000Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт — 0.4Корпус — to92Пороговое напряжение на затворе — 3
MOSFET-транзистор Полярность транзистора: N-Channel Id — непрерывный ток стока: 12 А Vds — напряжение пробоя сток-исток: 100 В Тип корпуса: TO-252 Способ монтажа: SMD Поверхностный
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Предельная частота коэффициента передачи тока: 300 МГц Корпус: TO-92 Комплементарной парой…
Характеристики: Максимальный ток коллектора 300 мА Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 50 В Максимальное напряжение коллектор-база 60 В Коэффициент усиления по току макс. 300 Максимальная рассеиваемая мощность 625 мВт Граничная частота усиления 50 МГц Диапазон рабочих температур -55°C..+150°C
Структура — p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В Напряжение коллектор-база, не более: -50 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 400 Предельная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…
Структура — n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 700 Предельная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц Корпус: TO-92 Транзисторы серии…
Конец содержания
Конец содержания
У вас еще нет аккаунта? Регистрация
В вашей корзине нет товаров. Продолжайте, пополняйте ее тем, что вам нравится!
Начните Делать Покупки Прямо сейчас
