Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 45 В Напруга колектор-база, не більша: 50 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.8 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 630 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 100 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії BC337 діляться кілька груп за коефіцієнтом посилення. Транзистор BC337-16 має коефіцієнт посилення в діапазоні від 100 до 250, BC337-25 – в діапазоні від 160 до 400, BC337-40 – в…
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 50 В Напруга колектор-база, не більша: 60 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.15 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 70 до 700 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для C945 є транзистор A733 c p-n-p структурою.
Транзистор FHP1404 MOSFET N канальний 180A 40V TO220 – призначений для використання в телекомунікаційній, вимірювальній і контрольній техніці, обмежувачах струму, автоматиці та іншій радіоелектронній апаратурі. Технічні характеристики транзистора Структура N Схема з’єднання Одиночний Напруга пробою сток-струмок 40 В Напруга затвор-істок ±25 В Максимальний постійний струм стоку при 25 ° C 180 А Порогова напруга затвор-джерело…
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 34.3 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ – Общий заряд…
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 25 В Напруга колектор-база, не більше: 40 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 85 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії S8050 діляться на кілька груп коефіцієнта посилення. Транзистор S8050B має коефіцієнт посилення в діапазоні від 85 до 160, S8050C – в діапазоні від 120 до 200, S8050D…
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -25 В Напруга колектор-база, не більше: -40 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 85 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії S8550 діляться на кілька груп коефіцієнта посилення. Транзистор S8550B має коефіцієнт посилення в діапазоні від 85 до 160, S8550C – в діапазоні від 120 до 200,…
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -25 В Напруга колектор-база, не більше: -40 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 64 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для S9012 є транзистор S9013 c n-p-n структурою.
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 25 В Напруга колектор-база, не більша: 45 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 64 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для S9013 є транзистор S9012 c p-n-p структурою.
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 45 В Напруга колектор-база, не більша: 50 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.1 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 60 до 1000 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для S9014 є транзистор S9015 c p-n-p структурою.
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -45 В Напруга колектор-база, не більше: -50 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.1 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 60 до 1000 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для S9015 є транзистор S9014 c n-p-n структурою.
Згідно з технічними характеристиками S9018 (він же SS9018) є надвисокочастотним біполярним кремнієвим NPN-транзистором Samsung Semiconductor. Колись їх випускала лише південно-корейська компанія. Його сучасні аналоги нині роблять інші виробники. При цьому перші символи у маркуванні у них можуть відрізнятись від оригіналу, а цифри вказувати саме на цей пристрій. Основне призначення – AM/FМ-підсилювачі, а також гетеродина у…
Термозбіжна гільза – термоусадна трубка з олов’яним кільцем по центру. Стискається в діаметрі під впливом високих температур. Дозволити якісно з’єднати дроти без паяння, а також одразу заізолювати та промаркувати кабель.
Термозбіжна гільза – термоусадна трубка з олов’яним кільцем по центру. Стискається в діаметрі під впливом високих температур. Дозволити якісно з’єднати дроти без паяння, а також одразу заізолювати та промаркувати кабель.
Термозбіжна гільза – термоусадна трубка з олов’яним кільцем по центру. Стискається в діаметрі під впливом високих температур. Дозволити якісно з’єднати дроти без паяння, а також одразу заізолювати та промаркувати кабель.
Термозбіжна гільза – термоусадна трубка з олов’яним кільцем по центру. Стискається в діаметрі під впливом високих температур. Дозволити якісно з’єднати дроти без паяння, а також одразу заізолювати та промаркувати кабель.
Термозбіжна гільза – термоусадна трубка з олов’яним кільцем по центру. Стискається в діаметрі під впливом високих температур. Дозволити якісно з’єднати дроти без паяння, а також одразу заізолювати та промаркувати кабель. Чорна термоусадка в довжину 20 мм, діаметр 3мм, йде без олова по центру. Опис інших усадок є на фото
Триосьовий акселерометр GY-61 ADXL335 three-axis accelerometer module – якісний датчик із ультранизким енергоспоживанням. Може бути використаний у пристроях Arduino, AVR, PIC, ARM та ін. Технічні характеристики Напруга живлення: 3 – 5 В Споживаний струм 400 мкА Тип показань аналоговий вихід Розміри 19×19мм
