Showing 33–42 of 42 results
Чіп дає змогу за допомогою слабкого струму мікроконтролера, як-от Arduino, керувати потужними навантаженнями зі струмом до 500 мА і напругою до 50 В на канал. Такими навантаженнями можуть бути соленоїди, двигуни, потужні світлодіоди тощо. Для кожного каскаду в чипі встановлено поворотний діод, що дає змогу під’єднувати індуктивні навантаження: реле, електромагніти, приводи. За необхідності канали можна…
Структура – n-канал Максимальна напруга сток-витік Uсі, В – 60 Максимальний струм сток-витік при 25 С Iсі макс.А – 0.2 Максимальна напруга затвор-витік Uзі макс., – ±20 Опір каналу у відкритому стані Rси вкл., мом – 5000 Максимальна розсіювана потужність Pсі макс..Вт – 0.4 Корпус – to92 Порогова напруга на затворі – 3
MOSFET-транзистор Полярність транзистора: N-Channel Id – безперервний струм стоку: 12 А Vds – напруга пробою сток-вісток: 100 В Тип корпусу: TO-252 Спосіб монтажу: SMD Поверхневий
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 40 В Напруга колектор-база, не більша: 60 В Напруга емітер-база, не більша: 6 V Струм колектора, не більше: 0.2 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 300 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N3904 є транзистор 2N3906 c p-n-p структурою. В наявності H331 і B331
Характеристики: Максимальный ток коллектора 300 мА Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 50 В Максимальное напряжение коллектор-база 60 В Коэффициент усиления по току макс. 300 Максимальная рассеиваемая мощность 625 мВт Граничная частота усиления 50 МГц Диапазон рабочих температур -55°C..+150°C
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -50 В Напруга колектор-база, не більше: -50 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.15 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 70 до 400 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 80 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії A1015 поділяються на кілька груп коефіцієнта посилення. Транзистор A1015O має коефіцієнт посилення в діапазоні від 70 до 140, A1015Y – в діапазоні від 120 до 240, A1015GR –…
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -50 В Напруга колектор-база, не більше: -60 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.15 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.25 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 90 до 600 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 180 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для A733 є транзистор C945 c n-p-n структуро
BTA24-800BW LGE Виробник: LGE Корпус: TO-220AB Umax,V: 800 V Iвідкр.,mA: 50 mA Imax,A: 25
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 50 В Напруга колектор-база, не більша: 60 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.15 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 70 до 700 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 80 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії C1815 діляться кілька груп за коефіцієнтом посилення. Транзистор C1815O має коефіцієнт посилення в діапазоні від 70 до 140, C1815Y – в діапазоні від 120 до 240, C1815GR…
End of content
End of content
У кошику немає товарів.
