Showing 41–44 of 44 results
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 25 В Напруга колектор-база, не більша: 45 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 64 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для S9013 є транзистор S9012 c p-n-p структурою.
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 45 В Напруга колектор-база, не більша: 50 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.1 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 60 до 1000 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для S9014 є транзистор S9015 c p-n-p структурою.
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -45 В Напруга колектор-база, не більше: -50 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.1 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 60 до 1000 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для S9015 є транзистор S9014 c n-p-n структурою.
Згідно з технічними характеристиками S9018 (він же SS9018) є надвисокочастотним біполярним кремнієвим NPN-транзистором Samsung Semiconductor. Колись їх випускала лише південно-корейська компанія. Його сучасні аналоги нині роблять інші виробники. При цьому перші символи у маркуванні у них можуть відрізнятись від оригіналу, а цифри вказувати саме на цей пристрій. Основне призначення – AM/FМ-підсилювачі, а також гетеродина у…
End of content
End of content
Don't have an account yet? Sign up
No items in your cart. Go on, fill it up with something you love!
Start Shopping Now
