Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 50 В Напруга колектор-база, не більша: 60 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.15 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 70 до 700 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 80 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії C1815 діляться кілька груп за коефіцієнтом посилення. Транзистор C1815O має коефіцієнт посилення в діапазоні від 70 до 140, C1815Y – в діапазоні від 120 до 240, C1815GR…
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 50 В Напруга колектор-база, не більша: 60 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.15 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 70 до 700 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для C945 є транзистор A733 c p-n-p структурою.
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 25 В Напруга колектор-база, не більше: 40 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 85 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії S8050 діляться на кілька груп коефіцієнта посилення. Транзистор S8050B має коефіцієнт посилення в діапазоні від 85 до 160, S8050C – в діапазоні від 120 до 200, S8050D…
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -25 В Напруга колектор-база, не більше: -40 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 85 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії S8550 діляться на кілька груп коефіцієнта посилення. Транзистор S8550B має коефіцієнт посилення в діапазоні від 85 до 160, S8550C – в діапазоні від 120 до 200,…
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -25 В Напруга колектор-база, не більше: -40 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 64 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для S9012 є транзистор S9013 c n-p-n структурою.
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 25 В Напруга колектор-база, не більша: 45 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 64 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для S9013 є транзистор S9012 c p-n-p структурою.
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 45 В Напруга колектор-база, не більша: 50 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.1 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 60 до 1000 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для S9014 є транзистор S9015 c p-n-p структурою.
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -45 В Напруга колектор-база, не більше: -50 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.1 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 60 до 1000 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для S9015 є транзистор S9014 c n-p-n структурою.
Згідно з технічними характеристиками S9018 (він же SS9018) є надвисокочастотним біполярним кремнієвим NPN-транзистором Samsung Semiconductor. Колись їх випускала лише південно-корейська компанія. Його сучасні аналоги нині роблять інші виробники. При цьому перші символи у маркуванні у них можуть відрізнятись від оригіналу, а цифри вказувати саме на цей пристрій. Основне призначення – AM/FМ-підсилювачі, а також гетеродина у…
Стійкий до підвищених температур Корпус металевий. Є пульт для регулювання швидкості. Напруга 12 вольт Потужність 2А Швидкість обертання: 6000 об. Розміри: 110х28 мм Комплектація як на фото
Модуль або шилд W5100 підходить для безпосередньої установки на плату контролера Arduino UNO R3 або Arduino MEGA 2560. Бібліотека для роботи з шилдом – Ethernet library Робота з кардрідером micro-SD карток, встановленим на шилді, виконується із застосуванням бібліотеки SD Library.
