• Транзистор 2n5551

    Транзистор 2n5551

    0 з 5
    грн

    Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 160 В Напруга колектор-база, не більша: 180 В Напруга емітер-база, не більша: 6 V Струм колектора, не більше: 0.6 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 80 до 250 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 100 МГ Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N5551 є транзистор 2N5401 c p-n-p структурою.

  • Транзистор a733

    Транзистор a733

    0 з 5
    1,30 грн

    Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -50 В Напруга колектор-база, не більше: -60 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.15 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.25 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 90 до 600 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 180 МГц Корпус: TO-92  Комплементарною парою для A733 є транзистор C945 c n-p-n структуро

  • Транзистор a92

    Транзистор a92

    0 з 5
    грн

    Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -300 В Напруга колектор-база, не більше: -300 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 40 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 50 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для MPSA92 є транзистор MPSA42 c n-p-n структурою.

  • Транзистор BC327

    Транзистор BC327

    0 з 5
    грн

    Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -45 В Напруга колектор-база, не більше: -50 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.8 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 630 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 100 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії BC327 діляться кілька груп за коефіцієнтом посилення. Транзистор BC327-16 має коефіцієнт посилення в діапазоні від 100 до 250, BC327-25 – в діапазоні від 160 до 400 b>, BC327-40 –…

  • Транзистор BC337

    Транзистор BC337

    0 з 5
    грн

    Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 45 В Напруга колектор-база, не більша: 50 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.8 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 630 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 100 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії BC337 діляться кілька груп за коефіцієнтом посилення. Транзистор BC337-16 має коефіцієнт посилення в діапазоні від 100 до 250, BC337-25 – в діапазоні від 160 до 400, BC337-40 – в…

  • Транзистор BTA24-800BW

    Транзистор BTA24-800BW

    0 з 5
    50 грн

    BTA24-800BW LGE Виробник: LGE Корпус: TO-220AB Umax,V: 800 V Iвідкр.,mA: 50 mA Imax,A: 25

  • Транзистор C945

    Транзистор C945

    0 з 5
    грн

    Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 50 В Напруга колектор-база, не більша: 60 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.15 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 70 до 700 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для C945 є транзистор A733 c p-n-p структурою.

  • Транзистор FHP1404

    Транзистор FHP1404

    5.00 з 5
    42 грн

    Транзистор FHP1404 MOSFET N канальний 180A 40V TO220 – призначений для використання в телекомунікаційній, вимірювальній і контрольній техніці, обмежувачах струму, автоматиці та іншій радіоелектронній апаратурі. Технічні характеристики транзистора Структура N Схема з’єднання Одиночний Напруга пробою сток-струмок 40 В Напруга затвор-істок ±25 В Максимальний постійний струм стоку при 25 ° C 180 А Порогова напруга затвор-джерело…

  • Транзистор FHP20100

    Транзистор FHP20100

    0 з 5
    24 грн

    Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 34.3 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ – Общий заряд…

  • Транзистор J41CG, TO252-2L PNP, MJD41C

    Транзистор J41CG, TO252-2L PNP, MJD41C

    0 з 5
    грн

    Транзистор J41CG Його повні аналоги MJD41CT4G, MJD41C, TIP41C Тип корпусу: TO252-2L Структура: PNP Макс. напруга колектор-база: 100 V Макс. напруга колектор-емітер: 100 V Макс. напруга емітер-база: 5 V Макс. постійний струм колектора: 6 А Потужність розсіювання: 1.25 Вт. Гранична частота (Ft): 3 МГц Коефіцієнт передачі струму (діапазон): 15 – 75 Спосіб монтажу SMD монтаж

  • Транзистор L7812CV (12В 1.5А)

    Транзистор L7812CV (12В 1.5А)

    0 з 5
    10 грн

    Характеристики: Модель L7812CV Вихідна напруга 12 В Макс. вихідний струм 1.5А Макс. вхідна напруга 35 В Робоча температура 0…125 °С Тип корпусу TO-220

  • Транзистор s8050D

    Транзистор s8050D

    0 з 5
    грн

    Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 25 В Напруга колектор-база, не більше: 40 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 85 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії S8050 діляться на кілька груп коефіцієнта посилення. Транзистор S8050B має коефіцієнт посилення в діапазоні від 85 до 160, S8050C – в діапазоні від 120 до 200, S8050D…

  • Транзистор s8550d

    Транзистор s8550d

    0 з 5
    грн

    Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -25 В Напруга колектор-база, не більше: -40 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 85 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії S8550 діляться на кілька груп коефіцієнта посилення. Транзистор S8550B має коефіцієнт посилення в діапазоні від 85 до 160, S8550C – в діапазоні від 120 до 200,…

  • Чіп MC34063 SOP-8 1.2A

    Чіп MC34063 SOP-8 1.2A

    0 з 5
    13 грн

    Модель: MC34063A Напряжение питания: 3-40 В Максимальный ток: 1.5 А Рабочая частота: 100 кГц Точность: 2% Тип корпуса: SOP-8

  • Чіп MC34063 SOP-8 1.5A

    Чіп MC34063 SOP-8 1.5A

    0 з 5
    грн

    Модель: MC34063 Напруга живлення: 3-40 В Максимальний струм: 1.5 А Робоча частота: 100 кГц Точність: 2% Тип корпусу: SOP-8

  • Чіп MD8002A SOP-8

    Чіп MD8002A SOP-8

    0 з 5
    39 грн

    Підсилювач низької частоти 8002A/MD8002A в корпусі SOP8 для використання в малогабаритних пристроях з низькою напругою живлення. Вихідна потужність: 3 Вт / 3 Ом Напруга живлення: 2.2-5 В Спотворення:  10%

  • Чіп MD8002d

    Чіп MD8002d

    0 з 5
    38 грн
  • Чіп PT4115 SOT-89

    Чіп PT4115 SOT-89

    0 з 5
    грн

    Модель: PT4115 Напряжение питания: 6-30 В Регулируемый выход: до 1.2 А Выходная мощность: 30 Вт Тип корпуса: SOT-89-5.

  • Чіп ULN2003A SOP-16

    Чіп ULN2003A SOP-16

    0 з 5
    грн

    Чіп дає змогу за допомогою слабкого струму мікроконтролера, як-от Arduino, керувати потужними навантаженнями зі струмом до 500 мА і напругою до 50 В на канал. Такими навантаженнями можуть бути соленоїди, двигуни, потужні світлодіоди тощо. Для кожного каскаду в чипі встановлено поворотний діод, що дає змогу під’єднувати індуктивні навантаження: реле, електромагніти, приводи. За необхідності канали можна…

  • 2N7000, Транзистор, N-канал, 60В, 0.4А, 5000мОм TO92

    2N7000, Транзистор, N-канал, 60В, 0.4А, 5000мОм TO92

    0 з 5
    грн

    Структура – n-канал Максимальна напруга сток-витік Uсі, В – 60 Максимальний струм сток-витік при 25 С Iсі макс.А – 0.2 Максимальна напруга затвор-витік Uзі макс., – ±20 Опір каналу у відкритому стані Rси вкл., мом – 5000 Максимальна розсіювана потужність Pсі макс..Вт – 0.4 Корпус – to92 Порогова напруга на затворі – 3

Кінець змісту

Кінець змісту