Електронні компоненти

Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 40 В Напруга колектор-база, не більша: 60 В Напруга емітер-база, не більша: 6 V Струм колектора, не більше: 0.2 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 300 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N3904 є транзистор 2N3906 c p-n-p структурою. В наявності H331 і B331

Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 160 В Напруга колектор-база, не більша: 180 В Напруга емітер-база, не більша: 6 V Струм колектора, не більше: 0.6 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 80 до 250 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 100 МГ Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N5551 є транзистор 2N5401 c p-n-p структурою.

Характеристики: Максимальный ток коллектора 300 мА Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 50 В Максимальное напряжение коллектор-база 60 В Коэффициент усиления по току макс. 300 Максимальная рассеиваемая мощность 625 мВт Граничная частота усиления 50 МГц Диапазон рабочих температур -55°C..+150°C

Транзистор FHP1404 MOSFET N канальний 180A 40V TO220 – призначений для використання в телекомунікаційній, вимірювальній і контрольній техніці, обмежувачах струму, автоматиці та іншій радіоелектронній апаратурі. Технічні характеристики транзистора Структура N Схема з’єднання Одиночний Напруга пробою сток-струмок 40 В Напруга затвор-істок ±25 В Максимальний постійний струм стоку при 25 ° C 180 А Порогова напруга затвор-джерело…