Showing 1–20 of 44 results
В комплекті 10 одиниць! Польовий транзистор Маркування: 4407A Корпус: SOP-8 N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET Технічні параметри: Структура p-канал Максимальна напруга стік-витік Uси, -30В Максимальний струм стік-витік при 25 З Іси макс.. -12А Максимальна напруга затвор-витік Uзи макс., ±25В Опір каналу у відкритому стані Rси вкл., 8.5 мОм Максимальна потужність, що розсіюється Рсі макс…..
Найменування приладу: AOD409 Тип транзистора: MOSFET Полярність: P Максимальна розсіювана потужність (Pd): 60 W Гранично допустима напруга сток-джерело |Uds|: 60 V Гранично допустима напруга затвор-джерело |Ugs|: 20 V Порогова напруга увімкнення |Ugs(th)|: 2.4 V Максимально допустимий постійний струм стоку |Id|: 26 A Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C Час наростання (tr): 14.5 ns Вихідна ємність…
Симістор BT136S-600E 800E є силовим напівпровідниковим приладом, що може використовуватися для керування великими струмами в електричних схемах. Він має SMD корпус типу SOT-252, також відомий як TO-252. BT136S-600E 800E має такі характеристики: Максимальний струм (IТ(RMS)): 4 А (для BT136S-600E) і 4 А (для BT136S-800E). Максимальна напруга (VDRM/VRRM): 600 В (для BT136S-600E) і 800 В (для…
Артикул FDN304P Монтаж SMD Виробник ON SEMICONDUCTOR Втрати потужності 0,5Вт Вид упаковки бобіна//стрічка Корпус SOT23 Полярність польовий Технологія PowerTrench® Тип транзистора P-MOSFET Напруга сток-витік -20В Струм стоку -2,4А Напруга затвор-витік ±8В Опір у відкритому стані 0,1Ом Вид каналу збагачений Заряд затвора 20нC Позначення виробника FDN304P
Тип мікросхеми Стабілізатор Кількість каналів 1 Максимальна робоча напруга 24 В
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 300 В Напруга колектор-база, не більша: 300 В Напруга емітер-база, не більша: 6 V Струм колектора, не більше: 0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 40 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 50 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для MPSA42 є транзистор MPSA92 c p-n-p структурою.
Найменування виробника: PXT2907A Маркування: 2F_p2F Тип матеріалу: Si Полярність: PNP Максимальна потужність, що розсіюється (Pc): 1.3 W Максимальна допустима напруга колектор-база (Ucb): 60 V Максимально допустима напруга колектор-емітер (Uce): 60 V Максимально допустима напруга емітер-база (Ueb): 5 V Максимальний постійний струм колектора (Ic): 0.6 A Гранична температура переходу PN (Tj): 150 °C Гранична частота коефіцієнта…
Мікросхема LM339 є чотириканальним компаратором з відкритим колектором і має корпус SOP-14 (Small Outline Package-14). Основні характеристики мікросхеми LM339: Тип: Чотириканальний компаратор. Кількість каналів: 4. Тип корпусу: SOP-14 (Small Outline Package-14). Напруга живлення: Від 2V до 36V. Відкритий колектор на виході. Мікросхема LM339 зазвичай використовується для порівняння напруг або сигналів і видає на виході «0»…
Технічні параметри: Напруга живлення: 7.2 В Піковий вихідний струм: 2.5 А Максимальний тривалий вихідний струм: 1.8 А
N-канальний польовий транзистор 100В 12А 56,6 Вт (Tc) Тип корпусу: TO-252 для поверхневого монтажу
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 30 В Напруга колектор-база, не більша: 60 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.8 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.5 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 250 МГц Корпус: TO-18 Комплементарною парою для 2N2222 є транзистор 2N2907 c p-n-p структурою.
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -40 В Напруга колектор-база, не більше: -60 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.6 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 200 МГц Корпус: TO-18 Комплементарною парою для 2N2907 є транзистор 2N2222 c n-p-n структурою.
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -40 В Напруга колектор-база, не більше: -40 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.2 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 250 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N3906 є транзистор 2N3904 c n-p-n структурою.
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -150 В Напруга колектор-база, не більше: -160 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.6 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 60 до 240 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 100 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N5401 є транзистор 2N5551 c n-p-n структурою.
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 160 В Напруга колектор-база, не більша: 180 В Напруга емітер-база, не більша: 6 V Струм колектора, не більше: 0.6 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 80 до 250 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 100 МГ Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N5551 є транзистор 2N5401 c p-n-p структурою.
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -300 В Напруга колектор-база, не більше: -300 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 40 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 50 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для MPSA92 є транзистор MPSA42 c n-p-n структурою.
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 45 В Напруга колектор-база, не більша: 50 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.8 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 630 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 100 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії BC337 діляться кілька груп за коефіцієнтом посилення. Транзистор BC337-16 має коефіцієнт посилення в діапазоні від 100 до 250, BC337-25 – в діапазоні від 160 до 400, BC337-40 – в…
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 50 В Напруга колектор-база, не більша: 60 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.15 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 70 до 700 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для C945 є транзистор A733 c p-n-p структурою.
Транзистор FHP1404 MOSFET N канальний 180A 40V TO220 – призначений для використання в телекомунікаційній, вимірювальній і контрольній техніці, обмежувачах струму, автоматиці та іншій радіоелектронній апаратурі. Технічні характеристики транзистора Структура N Схема з’єднання Одиночний Напруга пробою сток-струмок 40 В Напруга затвор-істок ±25 В Максимальний постійний струм стоку при 25 ° C 180 А Порогова напруга затвор-джерело…
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 34.3 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ – Общий заряд…
End of content
End of content
Don't have an account yet? Sign up
No items in your cart. Go on, fill it up with something you love!
Start Shopping Now
