Showing 1–16 of 42 results
Найменування приладу: AOD409 Тип транзистора: MOSFET Полярність: P Максимальна розсіювана потужність (Pd): 60 W Гранично допустима напруга сток-джерело |Uds|: 60 V Гранично допустима напруга затвор-джерело |Ugs|: 20 V Порогова напруга увімкнення |Ugs(th)|: 2.4 V Максимально допустимий постійний струм стоку |Id|: 26 A Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C Час наростання (tr): 14.5 ns Вихідна ємність…
Симістор BT136S-600E 800E є силовим напівпровідниковим приладом, що може використовуватися для керування великими струмами в електричних схемах. Він має SMD корпус типу SOT-252, також відомий як TO-252. BT136S-600E 800E має такі характеристики: Максимальний струм (IТ(RMS)): 4 А (для BT136S-600E) і 4 А (для BT136S-800E). Максимальна напруга (VDRM/VRRM): 600 В (для BT136S-600E) і 800 В (для…
Артикул FDN304P Монтаж SMD Виробник ON SEMICONDUCTOR Втрати потужності 0,5Вт Вид упаковки бобіна//стрічка Корпус SOT23 Полярність польовий Технологія PowerTrench® Тип транзистора P-MOSFET Напруга сток-витік -20В Струм стоку -2,4А Напруга затвор-витік ±8В Опір у відкритому стані 0,1Ом Вид каналу збагачений Заряд затвора 20нC Позначення виробника FDN304P
Тип мікросхеми Стабілізатор Кількість каналів 1 Максимальна робоча напруга 24 В
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 300 В Напруга колектор-база, не більша: 300 В Напруга емітер-база, не більша: 6 V Струм колектора, не більше: 0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 40 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 50 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для MPSA42 є транзистор MPSA92 c p-n-p структурою.
Найменування виробника: PXT2907A Маркування: 2F_p2F Тип матеріалу: Si Полярність: PNP Максимальна потужність, що розсіюється (Pc): 1.3 W Максимальна допустима напруга колектор-база (Ucb): 60 V Максимально допустима напруга колектор-емітер (Uce): 60 V Максимально допустима напруга емітер-база (Ueb): 5 V Максимальний постійний струм колектора (Ic): 0.6 A Гранична температура переходу PN (Tj): 150 °C Гранична частота коефіцієнта…
Мікросхема LM339 є чотириканальним компаратором з відкритим колектором і має корпус SOP-14 (Small Outline Package-14). Основні характеристики мікросхеми LM339: Тип: Чотириканальний компаратор. Кількість каналів: 4. Тип корпусу: SOP-14 (Small Outline Package-14). Напруга живлення: Від 2V до 36V. Відкритий колектор на виході. Мікросхема LM339 зазвичай використовується для порівняння напруг або сигналів і видає на виході «0»…
Технічні параметри: Напруга живлення: 7.2 В Піковий вихідний струм: 2.5 А Максимальний тривалий вихідний струм: 1.8 А
N-канальний польовий транзистор 100В 12А 56,6 Вт (Tc) Тип корпусу: TO-252 для поверхневого монтажу
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 30 В Напруга колектор-база, не більша: 60 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.8 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.5 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 250 МГц Корпус: TO-18 Комплементарною парою для 2N2222 є транзистор 2N2907 c p-n-p структурою.
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -40 В Напруга колектор-база, не більше: -60 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.6 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 200 МГц Корпус: TO-18 Комплементарною парою для 2N2907 є транзистор 2N2222 c n-p-n структурою.
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -40 В Напруга колектор-база, не більше: -40 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.2 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 250 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N3906 є транзистор 2N3904 c n-p-n структурою.
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -150 В Напруга колектор-база, не більше: -160 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.6 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 60 до 240 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 100 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N5401 є транзистор 2N5551 c n-p-n структурою.
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 160 В Напруга колектор-база, не більша: 180 В Напруга емітер-база, не більша: 6 V Струм колектора, не більше: 0.6 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 80 до 250 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 100 МГ Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N5551 є транзистор 2N5401 c p-n-p структурою.
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -300 В Напруга колектор-база, не більше: -300 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 40 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 50 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для MPSA92 є транзистор MPSA42 c n-p-n структурою.
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 45 В Напруга колектор-база, не більша: 50 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.8 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 630 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 100 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії BC337 діляться кілька груп за коефіцієнтом посилення. Транзистор BC337-16 має коефіцієнт посилення в діапазоні від 100 до 250, BC337-25 – в діапазоні від 160 до 400, BC337-40 – в…
End of content
End of content
У кошику немає товарів.
