Showing 1–20 of 44 results
В комплекті 10 одиниць! Польовий транзистор Маркування: 4407A Корпус: SOP-8 N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET Технічні параметри: Структура p-канал Максимальна напруга стік-витік Uси, -30В Максимальний струм стік-витік при 25 З Іси макс.. -12А Максимальна напруга затвор-витік Uзи макс., ±25В Опір каналу у відкритому стані Rси вкл., 8.5 мОм Максимальна потужність, що розсіюється Рсі макс…..
Найменування приладу: AOD409 Тип транзистора: MOSFET Полярність: P Максимальна розсіювана потужність (Pd): 60 W Гранично допустима напруга сток-джерело |Uds|: 60 V Гранично допустима напруга затвор-джерело |Ugs|: 20 V Порогова напруга увімкнення |Ugs(th)|: 2.4 V Максимально допустимий постійний струм стоку |Id|: 26 A Максимальна температура каналу (Tj): 175 °C Час наростання (tr): 14.5 ns Вихідна ємність…
Симістор BT136S-600E 800E є силовим напівпровідниковим приладом, що може використовуватися для керування великими струмами в електричних схемах. Він має SMD корпус типу SOT-252, також відомий як TO-252. BT136S-600E 800E має такі характеристики: Максимальний струм (IТ(RMS)): 4 А (для BT136S-600E) і 4 А (для BT136S-800E). Максимальна напруга (VDRM/VRRM): 600 В (для BT136S-600E) і 800 В (для…
Артикул FDN304P Монтаж SMD Виробник ON SEMICONDUCTOR Втрати потужності 0,5Вт Вид упаковки бобіна//стрічка Корпус SOT23 Полярність польовий Технологія PowerTrench® Тип транзистора P-MOSFET Напруга сток-витік -20В Струм стоку -2,4А Напруга затвор-витік ±8В Опір у відкритому стані 0,1Ом Вид каналу збагачений Заряд затвора 20нC Позначення виробника FDN304P
Тип мікросхеми Стабілізатор Кількість каналів 1 Максимальна робоча напруга 24 В
Найменування виробника: PXT2907A Маркування: 2F_p2F Тип матеріалу: Si Полярність: PNP Максимальна потужність, що розсіюється (Pc): 1.3 W Максимальна допустима напруга колектор-база (Ucb): 60 V Максимально допустима напруга колектор-емітер (Uce): 60 V Максимально допустима напруга емітер-база (Ueb): 5 V Максимальний постійний струм колектора (Ic): 0.6 A Гранична температура переходу PN (Tj): 150 °C Гранична частота коефіцієнта…
Мікросхема LM339 є чотириканальним компаратором з відкритим колектором і має корпус SOP-14 (Small Outline Package-14). Основні характеристики мікросхеми LM339: Тип: Чотириканальний компаратор. Кількість каналів: 4. Тип корпусу: SOP-14 (Small Outline Package-14). Напруга живлення: Від 2V до 36V. Відкритий колектор на виході. Мікросхема LM339 зазвичай використовується для порівняння напруг або сигналів і видає на виході «0»…
Технічні параметри: Напруга живлення: 7.2 В Піковий вихідний струм: 2.5 А Максимальний тривалий вихідний струм: 1.8 А
N-канальний польовий транзистор 100В 12А 56,6 Вт (Tc) Тип корпусу: TO-252 для поверхневого монтажу
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 160 В Напруга колектор-база, не більша: 180 В Напруга емітер-база, не більша: 6 V Струм колектора, не більше: 0.6 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 80 до 250 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 100 МГ Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N5551 є транзистор 2N5401 c p-n-p структурою.
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -50 В Напруга колектор-база, не більше: -60 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.15 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.25 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 90 до 600 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 180 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для A733 є транзистор C945 c n-p-n структуро
BTA24-800BW LGE Виробник: LGE Корпус: TO-220AB Umax,V: 800 V Iвідкр.,mA: 50 mA Imax,A: 25
Транзистор FHP1404 MOSFET N канальний 180A 40V TO220 – призначений для використання в телекомунікаційній, вимірювальній і контрольній техніці, обмежувачах струму, автоматиці та іншій радіоелектронній апаратурі. Технічні характеристики транзистора Структура N Схема з’єднання Одиночний Напруга пробою сток-струмок 40 В Напруга затвор-істок ±25 В Максимальний постійний струм стоку при 25 ° C 180 А Порогова напруга затвор-джерело…
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 34.3 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ – Общий заряд…
Транзистор J41CG Його повні аналоги MJD41CT4G, MJD41C, TIP41C Тип корпусу: TO252-2L Структура: PNP Макс. напруга колектор-база: 100 V Макс. напруга колектор-емітер: 100 V Макс. напруга емітер-база: 5 V Макс. постійний струм колектора: 6 А Потужність розсіювання: 1.25 Вт. Гранична частота (Ft): 3 МГц Коефіцієнт передачі струму (діапазон): 15 – 75 Спосіб монтажу SMD монтаж
Характеристики: Модель L7812CV Вихідна напруга 12 В Макс. вихідний струм 1.5А Макс. вхідна напруга 35 В Робоча температура 0…125 °С Тип корпусу TO-220
Модель: MC34063A Напряжение питания: 3-40 В Максимальный ток: 1.5 А Рабочая частота: 100 кГц Точность: 2% Тип корпуса: SOP-8
Модель: MC34063 Напруга живлення: 3-40 В Максимальний струм: 1.5 А Робоча частота: 100 кГц Точність: 2% Тип корпусу: SOP-8
Підсилювач низької частоти 8002A/MD8002A в корпусі SOP8 для використання в малогабаритних пристроях з низькою напругою живлення. Вихідна потужність: 3 Вт / 3 Ом Напруга живлення: 2.2-5 В Спотворення: 10%
End of content
End of content
Don't have an account yet? Sign up
Транзистор L7812CV (12В 1.5А)
1 × 10 грн Разом: 10 грн
