Showing 21–40 of 44 results
Транзистор J41CG Його повні аналоги MJD41CT4G, MJD41C, TIP41C Тип корпусу: TO252-2L Структура: PNP Макс. напруга колектор-база: 100 V Макс. напруга колектор-емітер: 100 V Макс. напруга емітер-база: 5 V Макс. постійний струм колектора: 6 А Потужність розсіювання: 1.25 Вт. Гранична частота (Ft): 3 МГц Коефіцієнт передачі струму (діапазон): 15 – 75 Спосіб монтажу SMD монтаж
Характеристики: Модель L7812CV Вихідна напруга 12 В Макс. вихідний струм 1.5А Макс. вхідна напруга 35 В Робоча температура 0…125 °С Тип корпусу TO-220
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 25 В Напруга колектор-база, не більше: 40 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 85 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії S8050 діляться на кілька груп коефіцієнта посилення. Транзистор S8050B має коефіцієнт посилення в діапазоні від 85 до 160, S8050C – в діапазоні від 120 до 200, S8050D…
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -25 В Напруга колектор-база, не більше: -40 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 85 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Транзистори серії S8550 діляться на кілька груп коефіцієнта посилення. Транзистор S8550B має коефіцієнт посилення в діапазоні від 85 до 160, S8550C – в діапазоні від 120 до 200,…
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -25 В Напруга колектор-база, не більше: -40 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 64 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для S9012 є транзистор S9013 c n-p-n структурою.
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 25 В Напруга колектор-база, не більша: 45 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.5 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 64 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для S9013 є транзистор S9012 c p-n-p структурою.
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 45 В Напруга колектор-база, не більша: 50 В Напруга емітер-база, не більше: 5 V Струм колектора, не більше: 0.1 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 60 до 1000 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для S9014 є транзистор S9015 c p-n-p структурою.
Структура – p-n-p Напруга колектор-емітер, не більше: -45 В Напруга колектор-база, не більше: -50 В Напруга емітер-база, не більше: -5 V Струм колектора, не більше: -0.1 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.4 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 60 до 1000 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 150 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для S9015 є транзистор S9014 c n-p-n структурою.
Згідно з технічними характеристиками S9018 (він же SS9018) є надвисокочастотним біполярним кремнієвим NPN-транзистором Samsung Semiconductor. Колись їх випускала лише південно-корейська компанія. Його сучасні аналоги нині роблять інші виробники. При цьому перші символи у маркуванні у них можуть відрізнятись від оригіналу, а цифри вказувати саме на цей пристрій. Основне призначення – AM/FМ-підсилювачі, а також гетеродина у…
Модель: MC34063A Напряжение питания: 3-40 В Максимальный ток: 1.5 А Рабочая частота: 100 кГц Точность: 2% Тип корпуса: SOP-8
Модель: MC34063 Напруга живлення: 3-40 В Максимальний струм: 1.5 А Робоча частота: 100 кГц Точність: 2% Тип корпусу: SOP-8
Підсилювач низької частоти 8002A/MD8002A в корпусі SOP8 для використання в малогабаритних пристроях з низькою напругою живлення. Вихідна потужність: 3 Вт / 3 Ом Напруга живлення: 2.2-5 В Спотворення: 10%
Модель: PT4115 Напряжение питания: 6-30 В Регулируемый выход: до 1.2 А Выходная мощность: 30 Вт Тип корпуса: SOT-89-5.
Чіп дає змогу за допомогою слабкого струму мікроконтролера, як-от Arduino, керувати потужними навантаженнями зі струмом до 500 мА і напругою до 50 В на канал. Такими навантаженнями можуть бути соленоїди, двигуни, потужні світлодіоди тощо. Для кожного каскаду в чипі встановлено поворотний діод, що дає змогу під’єднувати індуктивні навантаження: реле, електромагніти, приводи. За необхідності канали можна…
Структура – n-канал Максимальна напруга сток-витік Uсі, В – 60 Максимальний струм сток-витік при 25 С Iсі макс.А – 0.2 Максимальна напруга затвор-витік Uзі макс., – ±20 Опір каналу у відкритому стані Rси вкл., мом – 5000 Максимальна розсіювана потужність Pсі макс..Вт – 0.4 Корпус – to92 Порогова напруга на затворі – 3
MOSFET-транзистор Полярність транзистора: N-Channel Id – безперервний струм стоку: 12 А Vds – напруга пробою сток-вісток: 100 В Тип корпусу: TO-252 Спосіб монтажу: SMD Поверхневий
Структура – n-p-n Напруга колектор-емітер, не більше: 40 В Напруга колектор-база, не більша: 60 В Напруга емітер-база, не більша: 6 V Струм колектора, не більше: 0.2 А Розсіювана потужність колектора, не більше: 0.625 Вт Коефіцієнт посилення транзистора по струму (hfe): від 100 до 300 Гранична частота коефіцієнта передачі струму: 300 МГц Корпус: TO-92 Комплементарною парою для 2N3904 є транзистор 2N3906 c p-n-p структурою. В наявності H331 і B331
Характеристики: Максимальный ток коллектора 300 мА Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 50 В Максимальное напряжение коллектор-база 60 В Коэффициент усиления по току макс. 300 Максимальная рассеиваемая мощность 625 мВт Граничная частота усиления 50 МГц Диапазон рабочих температур -55°C..+150°C
End of content
End of content
Don't have an account yet? Sign up
No items in your cart. Go on, fill it up with something you love!
Start Shopping Now
